元器件用芯片国产化替代推进工作是关系到国家在电子信息领域能否稳住的一项非常重要工作，是成败的关键。我们若能在二、三年内完成部分元器件用芯片国产化替代工作，将会使国家在某些领域不再受到钳制（或少受钳制），对国家装备发展和企业进步都将有很大帮助。 目前我们生产元器件的芯片部份是使用的进口芯片，根据国家对装备使用元器件的国产化要求，必须加快推进芯片国产化的替代工作，争取在3年内完成，具体任务有： （1）红外发光芯片的国产化替代。红外芯片材料为：砷化镓/砷化镓或砷镓铝/砷化镓，波长为：850nm至940nm左右，光功率大于0.7mW，正向压降小于1.6V，漏电流小于10uA，电参数根据波长而有所不同。 （2）光敏芯片的国产化替代。光敏芯片材料为：硅，敏感波长为：880nm，CE击穿电压大于：40V，EB击穿电压大于：6V，暗电流小于：100mA，饱和压降小于：0.3V，放大倍数大于：200。 （3）主要辅材的国产化替代等多方面工作。 （来源：中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心）