1.技术介绍及特点

项目技术基于传热学及流体力学理论以及晶体生长模型化和数值模拟手段，利用实验室自行研制的 PVT 法碳化硅单晶生长炉，对实验室生长碳化硅单晶的技术进行了探索及改进。目前已解决影响碳化硅材料量产的关键技术科学问题，2-4 英寸晶体产品质量达到国际先进水平。自行研制 4 英寸-6 英寸碳化硅 PVT 晶体生长炉，已掌握高纯度碳化硅粉（99.999%）的合成技术及高质量单晶生长技术。
神奇的化学：原料合成 Si+C=SiC，PVT 生长，莫桑钻

2.应用领域
加工。 天然的碳化硅存在于罕见的莫桑石中。合成碳化硅（Synthetic Moissanite）又名合成莫桑石、合成碳硅石（化学成分 SiC），色散(0.104)比钻石(0.044）大，折射率 (2.65-2.69)也略大于钻石(2.42)，具有与钻石相同的金刚光泽，火彩更强。 主要研发碳化硅单晶生长高温真空炉、碳化硅单晶生长及衬底加工技术，高纯碳化硅粉合成技术。高质量的 4H 和 6H 半绝缘型 2—4 英寸碳化硅单晶衬底及氮化镓外延片，主要用于外延生长碳化硅和氮化镓材料，用于制作新一代高效节能的电力电子器件、高效LED、微波器件。