大功率LED的设计目前主要有两种途径：单颗大尺寸高电流低压LED（大电流功率芯片）和多个小功率LED在封装基板上串并联（小功率芯片集成）。前者存在电流扩展不均匀，大电流下Droop现象严重等问题，大电流功率芯片在用于市电照明时电压转换幅度大而导致能耗大，变压驱动器的寿命也成为整个灯具寿命的短板。小功率芯片集成需要几十甚至上百个小功率芯片在基板上打线互连，互连可靠性低，光源面积大不利于光学设计，且小功率芯片的逐个安装排布导致封装成本高居不下。 高压LED采用多个LED单元的芯片级互连，光源集中，互连可靠，封装成本低；无需大幅度的电压转换，驱动设计简单，小电流工作散热问题容易解决。因此，大范围采用高压LED是LED芯片发展和应用的未来趋势。 技术特点： 1、发光效率：136.9lm/W @20mA； 2、随意切割：一种版图可以提供多种电压规格的芯片，便于应用端灵活设计驱动电路和光通量，同时降低芯片制造成本； 3、与传统的多芯片COB集成组件相比成本降低10-15%； 4、多芯片串联，反向漏电小，反向击穿电压高； 5、与传统1W@350mA大功率芯片相比，光输出提高约11%，电流扩展更均匀； 6、电流小，散热要求低，可靠性高，1000小时光衰小于2%； 7、电压高，几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压损耗小，驱动设计简单。 专利情况： 已申请专利国内发明专利20项，授权2项。 市场分析： 高压LED是多个LED单元的芯片级串联，互连比多个小功率管芯打线互连更为可靠；且LED单元之间间距很小，光线集中，便于光学设计，可用于高光密度照明，如路灯、广场照明和舞台聚光照明等。 几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压能耗小，驱动设计简单，可用于各种市电照明场合，例如室内照明、园区和工作场所照明等；高压LED能减小驱动电路、光学设计和散热部分的体积，因此可采用多种灯具形式和适用多种安装场合，可以设计成筒灯、射灯、球泡灯，也可以采用悬挂、镶嵌等多种安装方式。