一种低温宽频带低噪声放大器

应用领域：其他
技术领域：其他
技术成熟度：已有样品
交易类型：合作开发
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联系信息： 010-82648522

成果详情

本发明公开了一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。通过采用本发明公开的放大器，不仅可以保证在低温环境下稳定工作，而且在3.5—8GHZ的宽频带内，放大器能达到25dB的增益，同时增益平坦度小于2dB，并且保证放大器的噪声和回波损耗在宽频带内足够低。

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