碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用与制作高温、高频微波器件及大功率电子器件。

此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。以半绝缘SiC晶体材料为衬底的高频微波器件是雷达、通信等尖端的现代化军事和航天装备领域急需的电子器件。

以导电SiC晶体材料为衬底制作的发光二级管（LED）能效高、耗电量少，普通的LED亮度一般是150流明∕瓦，以SiC为衬底的LED亮度可高达300流明∕瓦以上。 在电力电子器件应用方面，与Si衬底材料相比，SiC衬底材料不仅可以大大提高电力电子器件的耐压能力、响应速度和工作温度，还可以大幅度降低器件的功率损耗，减小器件的几何尺寸，兼顾器件的功率和频率。

因此，SiC衬底材料将成为新一代电力电子技术发展的基石。目前，最引人注目的SiC基电力器件是肖特基整流器、晶闸管和金属一氧化物一半导体场效应管。据国际权威预测报告，SiC功率电子器件将很快在工业界、汽车、电力机车以及电网中应用。 综上所述，SiC晶体材料在军民两个领域中都具有重要的应用价值，具有广阔的市场前景。