本项目的目标是采用华虹N EC0. 18 u m RFSiGe B iC MOS工艺研发一款155Mbps宽带光通信跨阻放大器芯片,工作电源电压在3V,最大差分跨阻增益可达220k0,动态范围达40dBm,可应用于FTTH, SONET/SDH/ATM网络,百兆以太网,客户面向全国范围内的各类光模块产品设计生产厂家。本项目为科技含量极高的高速模拟集成电路芯片,充分利用目前市场供小于求的现状。
本项目研发能推动我国研制和生产具有自主知识产权的光通信类芯片的研发能力 , 改变目前依赖进口 IC的被动局面,具有很好的经济和社会效益。