智能SOI CMOS器件电离总剂量辐射损伤规律研究

应用领域：电子与信息
技术领域：电子信息技术,先进制造技术
技术成熟度：已有样品
交易类型：完全转让,许可转让,技术入股,合作开发
联系人：汇智科技服务平台
联系信息： 010-82648522

成果详情

SOICMOS器件电离总剂量辐射损伤规律研究是为我国国产抗辐射加固超大规模集成电路研制服务的基础研究项目。通过利用新疆理化技术研究所众多辐射源开展国产SOI材料、器件、抗辐射加固电路等的损伤规律研究。为国产抗辐射加固SOI材料、抗辐射加固SOICMOS提供考核及评估方法具有很强的实用性。为国产抗辐射加固集成电路的产业化奠定坚实的基础。

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