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相变储存技术研究

相变储存技术研究


  • 应用领域: 新材料
  • 技术领域: 先进制造技术,新材料及其应用
  • 技术成熟度: 通过小试
  • 交易类型: 许可转让,技术入股,合作开发
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  • 成果详情

PCRAM是以硫系( Chalcogenide)化合物(典型材料Ge2Sb2Te5 )为基础的半导体存储器。 PCRAM不但具有高速读写、非易失性、低功耗的技术优势,而且PCRAM还具有信息安全性高和自主知识产权等特点;此外PCRAM在工艺上和标准CMOS技术完全兼容,只需增加2~3张光罩就能完成PCRAM芯片的集成 ,在28nm及以下工艺节点更具特有的微缩性。

当前,我国已成为世界上最大的通信基站、手机、计算机、高清电视等电子产品的生产基地,半导体集成电路是该产业的基石,存储器是集成电路的核心部件之一 ,全球存储器市场达600亿美金以上, 其中中国存储器市场达1800亿人民币,可见本项目产业化前景巨大, 项目完成后将对我国社会经济的发展起到重要的推动作用 。

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