一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
- 申请号：CN99125749.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海冶金研究所
- 公开(公开)号：CN1094524C
- 公开(公开)日：20000628
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN99125749.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1094524C | 公开（授权）日 | 20000628 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明（设计）人 | 王连卫;林成鲁;刘彦松;宋志棠;刘尔凯 |
| 主分类号 | C23C16/34 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法 至一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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