用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法
- 申请号：CN201410522199.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN104241527B
- 公开(公开)日：20141224
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410522199.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104241527B | 公开（授权）日 | 20141224 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 纪兴龙;吴良才;朱敏;饶峰;宋志棠;曹良良;孟云;封松林 |
| 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 至用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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