一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法
- 申请号：CN200710121365.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101381070A
- 公开(公开)日：20090311
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 | ||
| 申请号 | CN200710121365.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101381070A | 公开（授权）日 | 20090311 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;贾锐;李维龙;王从舜;龙世兵;陈宝钦;刘明;叶甜春 |
| 主分类号 | B81C1/00 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 至一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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4、专员跟进，交易保障
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