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在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备ZnO单晶薄膜的方法

  • 申请号:CN200410071047.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN1294633C
  • 公开(公开)日:20050302
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备ZnO单晶薄膜的方法
申请号 CN200410071047.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1294633C 公开(授权)日 20050302
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 杜小龙;薛其坤;英敏菊;梅增霞;曾兆权;郑浩
主分类号 H01L21/365 IPC主分类号
专利有效期 在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备ZnO单晶薄膜的方法 至在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备ZnO单晶薄膜的方法 法律状态
说明书摘要

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