一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 申请号：CN200910235334.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102034909A
- 公开(公开)日：20110427
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | ||
| 申请号 | CN200910235334.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102034909A | 公开（授权）日 | 20110427 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 牛智川;倪海桥;王海莉;贺继方;朱岩;李密峰;王鹏飞;黄社松;熊永华 |
| 主分类号 | H01L33/02 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 至一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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