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一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法

  • 申请号:CN200910187297.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN102021633A
  • 公开(公开)日:20110420
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法
申请号 CN200910187297.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102021633A 公开(授权)日 20110420
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 成会明;任文才;吴忠帅;裴嵩峰;汤代明;高力波;刘碧录;李峰;刘畅
主分类号 C25D13/02 IPC主分类号
专利有效期 一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法 至一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法 法律状态
说明书摘要

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

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