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采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法

  • 申请号:CN200710177559.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101206411B
  • 公开(公开)日:20080625
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法
申请号 CN200710177559.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101206411B 公开(授权)日 20080625
申请(专利权)人 中国科学院光电技术研究所 发明(设计)人 杜春雷;李淑红;董小春;史立芳
主分类号 G03F7/20 IPC主分类号
专利有效期 采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法 至采用聚焦光刻成形亚波长微纳结构的制作方法 法律状态
说明书摘要

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
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