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一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法

  • 申请号:CN201811313384.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 公开(公开)号:CN111145973A
  • 公开(公开)日:20200512
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法
申请号 CN201811313384.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN111145973A 公开(授权)日 20200512
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 颜光辉;刘壮;闫阿儒;张超越;王广庆;朱艳姣;陈仁杰;刘雷;夏卫星;李东
主分类号 H01F1/055 IPC主分类号
专利有效期 一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法 至一种含有晶界相的钐钴永磁体及其制备方法 法律状态
说明书摘要

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    专利
  • 02 确认专利
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