制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法
- 申请号：CN201210208853.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102694093A
- 公开(公开)日：20120926
- 法律状态：
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 | ||
| 申请号 | CN201210208853.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102694093A | 公开（授权）日 | 20120926 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汪炼成;马骏;刘志强;伊晓燕;王国宏 |
| 主分类号 | H01L33/00 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 至制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言