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测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法

  • 申请号:CN201010292164.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN101979995B
  • 公开(公开)日:20110223
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法
申请号 CN201010292164.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101979995B 公开(授权)日 20110223
申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 顿爱欢;魏劲松;干福熹
主分类号 G01N3/28 IPC主分类号
专利有效期 测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法 至测量微纳米级薄膜线延伸率和薄膜面延展率的方法 法律状态
说明书摘要

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  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
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  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

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