一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法
- 申请号：CN200510087072.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN1905081A
- 公开(公开)日：20070131
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 | ||
| 申请号 | CN200510087072.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1905081A | 公开（授权）日 | 20070131 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王淑芳;周岳亮;赵嵩卿;韩鹏;陈正豪;吕惠宾;金奎娟;程波林;何萌;杨国桢 |
| 主分类号 | H01B1/00 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 至一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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专利 -
02
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可交易 - 03 签订合同
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确认变更
成功 - 06 支付尾款
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