GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉
- 申请号：CN201310687332.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号：CN103698348B
- 公开(公开)日：20140402
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉 | ||
| 申请号 | CN201310687332.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103698348B | 公开（授权）日 | 20140402 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 |
| 主分类号 | G01N23/207 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉 至GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的方法和微型晶体生长炉 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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