一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法
- 申请号：CN201210149093.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102664147A
- 公开(公开)日：20120912
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201210149093.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102664147A | 公开（授权）日 | 20120912 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;贾婷婷;曹铎;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉 |
| 主分类号 | H01L21/283 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 至一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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专利 -
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