制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
- 申请号：CN201410191726.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103956417A
- 公开(公开)日：20140730
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 | ||
| 申请号 | CN201410191726.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103956417A | 公开（授权）日 | 20140730 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张恒;魏鸿源;杨少延;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;刘祥林;王占国 |
| 主分类号 | H01L33/02 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 至制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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