具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
- 申请号:CN200610003530.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN101017831A
- 公开(公开)日:20070815
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 | ||
申请号 | CN200610003530.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101017831A | 公开(授权)日 | 20070815 |
申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国 |
主分类号 | H01L27/12 | IPC主分类号 | |
专利有效期 | 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 至具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 | 法律状态 | |
说明书摘要 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障
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