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金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法

  • 申请号:CN200710040427.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN100494486C
  • 公开(公开)日:20071205
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法
申请号 CN200710040427.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN100494486C 公开(授权)日 20071205
申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥
主分类号 C23C16/40 IPC主分类号
专利有效期 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 至金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法 法律状态
说明书摘要

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
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  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

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