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基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法

  • 申请号:CN201811349424.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN109494147A
  • 公开(公开)日:20190319
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法
申请号 CN201811349424.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN109494147A 公开(授权)日 20190319
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;田晓丽;陈宏;杨成樾
主分类号 H01L21/02 IPC主分类号
专利有效期 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法 至基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法 法律状态
说明书摘要

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

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