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碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用

  • 申请号:CN201510998034.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院
  • 公开(公开)号:CN105513921B
  • 公开(公开)日:20160420
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用
申请号 CN201510998034.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105513921B 公开(授权)日 20160420
申请(专利权)人 深圳先进技术研究院 发明(设计)人 洪序达;梁栋;石伟
主分类号 H01J1/304 IPC主分类号
专利有效期 碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 至碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 法律状态
说明书摘要

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
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    成功
  • 06 支付尾款
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