专利详情

专利名称	一种硅基太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201710338564.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108899374A	公开（授权）日	2018.11.27
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙恒超;贾锐;陶科;姜帅
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种硅基太阳能电池及其制备方法至一种硅基太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：硅衬底，在硅衬底的正面形成有PN结；在PN结的上方依次形成有隧穿层、石墨烯层、重掺非晶硅层、减反射层和正面电极；正面电极穿透减反射层与重掺非晶硅层直接接触；在硅衬底的背面形成有背面电极。该太阳能电池中利用石墨烯作为一种导电材料应用于太阳能电池中，利用石墨烯的高透光性和高载流子迁移率，提高了硅太阳电池的填充因子、转化效率。同时，该石墨烯层所结合的遂穿层能够起到钝化作用，并且结合重掺非晶硅层可以形成高低结以实现载流子输运，从而进一步提高了硅基太阳能电池的转换效率。