专利详情

专利名称	一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法
申请号	CN201810102885.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108486531A	公开（授权）日	2018.09.04
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李恩;王东飞;范朋;王业亮;高鸿钧
主分类号	C23C14/24(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B29/68(2006.01)I
专利有效期	一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法至一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种二硒化钯二维晶态薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤100、准备以碳化硅为基体且在其表面制作有石墨烯层的基座；步骤200、将基座的温度保持在硒和钯的生长温度范围内；步骤300、将纯硒和纯钯按反应比例以蒸发的方式生成硒原子和钯原子后沉积至基座上，硒原子和钯原子在基座上发生反应，形成原子组成的二维有序晶态薄膜层，该薄膜层中，硒原子和钯原子以硒?钯?硒的叠加状态分布。本发明通过上述方法解决了现有技术中只能得到二硒化钯块状体的现状，可获取到原子级的二硒化钯薄膜层，为充分利用二硒化钯研究二硒化钯的物性及相关器件提供了便利。