专利详情

专利名称	电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
申请号	CN201810178924.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108242763A	公开（授权）日	2018.07.03
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	黄永光;张瑞康;王宝军;朱洪亮
主分类号	H01S5/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/06(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I
专利有效期	电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法至电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。