专利详情

专利名称	一种单一取向碳纳米管喷印排布方法
申请号	CN201610914928.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107963610A	公开（授权）日	2018.04.27
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李倩;刘华平;周维亚;解思深
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种单一取向碳纳米管喷印排布方法至一种单一取向碳纳米管喷印排布方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种单一取向碳纳米管喷印排布方法，包括：利用十八烷基三氯硅烷(OTS)等修饰基底，使之表面具有疏水性；在功能化的疏水基底上采用喷墨打印实现取向碳纳米管薄膜位置、取向密度以及图案化的精确可控，排布出密度均匀、取向一致的不同图案的碳纳米管薄膜。本发明的方法可有效控制碳纳米管排布的面积，从几微米到晶圆级尺寸；可解决目前各种排布方法无法高效精确的控制一维纳米材料在基底上的排布位置、排布取向、排布密度以及薄膜阵列的图案化问题；可广泛用于制备各种基于碳纳米管的高性能光电器件、逻辑电路以及功能薄膜，在柔性可穿戴纳米器件领域也有广阔的应用前景。