专利详情

专利名称	一种GaP纳米线及其制备方法和用途
申请号	CN201711083349.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107858754A	公开（授权）日	2018.03.30
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	董泽健;宫建茹
主分类号	C30B29/40(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/40(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B23/08(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	一种GaP纳米线及其制备方法和用途至一种GaP纳米线及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种GaP纳米线及其制备方法和用途。GaP纳米线的制备方法为：1)在导电基底上覆盖催化剂；2)将GaP粉末装入容器中；3)将导电基底和容器置于两端开口的石英管两侧，放到双温区管式炉中；4)对双温区管式炉抽真空，通保护气，加热，使第一温区升温至930℃?1000℃，第二温区升温至620℃?650℃，保温，得GaP纳米线。本发明还提供一种GaP/GaPN核壳纳米线，其制备方法为：将GaP纳米线置于两端开口的石英管中，放到反应炉中，抽真空，通入保护气，加热反应炉，升温至720℃?800℃，停止抽真空并停止通入保护气，通入氨气，保温，得到核壳纳米线。本发明提供的纳米线作为光电极。