专利详情

专利名称	可调谐激光器及其制备方法
申请号	CN201710795032.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107508143A	公开（授权）日	2017.12.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周代兵;赵玲娟;梁松;王圩
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	可调谐激光器及其制备方法至可调谐激光器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	可调谐激光器及其制备方法，可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；下波导层、有源区及上波导层的靠近相位区的侧面腐蚀形成为斜面；相位区和光栅区，均包括无源层，光栅区的无源层形成有光栅结构；相位区靠近所述斜面的侧面与斜面相吻合，以使增益区和相位区相贴合。增益区的侧壁腐蚀形成有斜面，能够有效防止相位区和光栅区在对接生长无源层材料时在对接界面形成的材料堆积，从而减小光的损耗和界面处的光反射。