专利详情

专利名称	纳米线结构的制作方法
申请号	CN201710453059.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107342312A	公开（授权）日	2017.11.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李俊杰;崔虎山;朱慧珑;赵超
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	纳米线结构的制作方法至纳米线结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请提供了一种纳米线结构的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供一个衬底，并在衬底上形成依次远离衬底的第一半导体材料部与掩膜部；步骤S2，对第一半导体材料部进行表面处理，使得第一半导体材料部的表面部分形成第一表层；步骤S3，刻蚀去除第一表层，去除第一表层的速率与去除衬底的速率之比在大于10；重复步骤S2至步骤S3，直到第一半导体材料部形成纳米线。该制作方法实现了自限制刻蚀，保证了在刻蚀的过程中对衬底造成的损伤较小；之后再进行表面处理，然后在再刻蚀，直到形成预定尺寸的纳米线结构，且形成的纳米线尺寸的重复性和均匀性较好。