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集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器

  • 申请号:CN201811363372.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN109283236A
  • 公开(公开)日:2019.01.29
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器
申请号 CN201811363372.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN109283236A 公开(授权)日 2019.01.29
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 王栎皓;朱银芳;赵俊元;杨晋玲;杨富华
主分类号 G01N27/414(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/414(2006.01)I
专利有效期 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 至集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本公开提供了一种集成CMOS?MEMS的高灵敏谐振式传感器,包括:微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路;谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路,惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振;通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS?MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点,相比于同类MEMS器件和电路模块,占用面积减少了近90%,因此,非常适用于便携式检测,尤其是可穿戴系统,能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。

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