专利详情

专利名称	用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架
申请号	CN201810851559.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN109166784A	公开（授权）日	2019.01.08
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫
主分类号	H01J43/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01J43/10(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I
专利有效期	用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架至用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本公开提供一种用于GEM探测器放大单元的阻性基材，包括：Apical基底层；以及DLC薄膜，分别形成于Apical基底层的正反表面上，一方面作为探测器放大单元的阻性基材，另外也可用于保护所述Apical基底层；其中，Apical基底层正反表面上的DLC薄膜在同一条件下溅射得到。本公开实施例提供的用于GEM探测器放大单元的阻性基材、制备方法及支架中Apical基底层正反面的DLC薄膜在同一条件下溅射得到，能够抵消DLC薄膜对于Apical基底层的内应力，使得薄膜平整均匀，并且DLC薄膜厚度可达1微米左右，能够在GEM探测器刻蚀加工时对绝缘Apical基底层起到保护的作用，此外，该DLC薄膜的面电阻值能够控制在几十MΩ/□至几百MΩ/□之间能够有效抑制探测器的打火放电。