专利详情

专利名称	一种半导体激光器
申请号	CN201811197771.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN109193342A	公开（授权）日	2019.01.11
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	王小军;宗楠;彭钦军;许祖彦;杨晶
主分类号	H01S5/30(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/30(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I
专利有效期	一种半导体激光器至一种半导体激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体激光器，包括一个或多个半导体芯片(1?1)，每个所述半导体芯片(1?1)的发光单元(1?11)的增益区(1?11A)的沿慢轴方向的长度为1mm～10cm；激光谐振腔，用于调整所述发光单元(1?11)发射出的半导体激光使其在慢轴方向形成谐振，使所述发光单元(1?11)的增益区(1?11A)在慢轴方向的尺寸与基模光斑半径ω₀相匹配；快轴准直元件(FAC)，设置在所述激光谐振腔内，用于对所述发光单元(1?11)发射的激光在快轴方向准直。本发明实施方式提供的半导体激光器，一方面能够提高增益区高功率的输出能力，另一方面又改善了光束质量，可实现M²<2的高光束质量输出。