专利详情

专利名称	基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用
申请号	CN201810970968.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN109148686A	公开（授权）日	2019.01.04
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	狄重安;申弘光;金文龙;朱道本
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用至基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用。该适应型OFET，由下至上依次包括栅电极、下绝缘层、半导体中间层、上绝缘层和半导体传输层以及同时位于所述半导体传输层之上的源电极和漏电极。该类适应型OFET结构具有普适性，半导体传输层、半导体中间层以及绝缘层的材料可以灵活选择，同时可以灵活调控各层的厚度及界面特性，从而使得适应性衰减时间参数可在10^?2s～10²s，适应性衰减幅度可在0％～100％范围内灵活调节，和人体的触觉、视觉、嗅觉以及冷热感觉等的适应行为相匹配。