专利详情

专利名称	一种氧化镓基紫外探测器及其制作方法
申请号	CN201810717548.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108922931A	公开（授权）日	2018.11.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;覃愿;董航;何启鸣;刘明
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种氧化镓基紫外探测器及其制作方法至一种氧化镓基紫外探测器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种氧化镓基紫外探测器，包括氧化镓晶体衬底、石墨烯层、第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极，其中，第一欧姆接触电极生长在所述氧化镓晶体衬底的第一面；氧化镓晶体衬底的第二面形成有针尖状结构；石墨烯层位于氧化镓晶体衬底的第二面的表面，并且与氧化镓晶体衬底的第二面形成的针尖状结构相接触；第二欧姆接触电极生长在石墨烯层的不与氧化镓晶体衬底接触的表面。本发明还提供一种氧化镓基紫外探测器的制作方法。本发明能够提高紫外探测器的响应灵敏度以及响应速度，且工艺简单、成本低廉。