抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法
- 申请号:CN201711219623.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
- 公开(公开)号:CN108866496A
- 公开(公开)日:2018.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法 | ||
申请号 | CN201711219623.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN108866496A | 公开(授权)日 | 2018.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 邰凯平;刘畅;崔刊;靳群;蒋松;姜辛 |
主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
专利有效期 | 抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法 至抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明属于复合材料和抗辐照损伤结构材料领域,具体为一种抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法。复合材料由自支撑CNT基体以及均匀附着在其表面生长的金属纳米晶构成,相邻纳米晶粒成取向差为1~10°的小角度倾转晶界,晶粒尺寸≤250nm,孔隙率≥50%。制备方法包括:提供承载和加热功能的样品支架,在加热条件下对其承载的CNT基底进行等离子体清洗处理;将预处理的CNT基底在0.2至2Pa气压(Ar气体),20至800℃的温度下,利用磁控溅射沉积技术制备金属纳米晶/CNT复合材料。该复合材料的厚度、成分、孔隙率等均可调控,具有高密度纳米尺度孔隙,较高的电导率和弯曲柔韧性能,在高能粒子辐照下,表现出良好的抗损伤性能和结构稳定性。 |
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