专利详情

专利名称	衬底、半导体器件及衬底制作方法
申请号	CN201710317803.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108878595A	公开（授权）日	2018.11.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李雪威;张纪才;王建峰;徐科
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I
专利有效期	衬底、半导体器件及衬底制作方法至衬底、半导体器件及衬底制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：先蒸镀掩膜材料，然后再进行干法刻蚀掩膜，再通过湿法腐蚀AlN，最后在除去掩膜材料，从而形成图形化AlN薄膜的方法。本发明使用常规的工艺，就可以在AlN/蓝宝石模板上制备出图形化的AlN薄膜。使用的是干法刻蚀与湿法腐蚀结合的方法，既保证刻蚀精度又保证刻蚀速率。对于制备工艺的要求十分简单，且测试手段方便。本发明使用了在AlN/蓝宝石模板上通过刻蚀AlN，制备AlN薄膜上周期性的图形，从而达到提高晶体生长质量，提高器件效率的目的。