专利详情

专利名称	一种阻变存储器的设计方法及装置
申请号	CN201810508704.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108807456A	公开（授权）日	2018.11.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢年端;李泠;刘明;刘琦
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种阻变存储器的设计方法及装置至一种阻变存储器的设计方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种阻变存储器的设计方法及装置，方法包括：接收预设的阻变材料的第一参数标准，基于所述第一参数标准搜索并输出第一阻变材料，第一参数包括：带隙、电荷转移、空位、迁移势垒、载流子激活能、肖特基势垒及中间相数量；根据第一阻变材料建立阻变材料数据库；接收阻变存储器器件模型的第二参数标准，根据第二参数标准从阻变材料数据库中筛选出第二阻变材料，所述第二参数包括：所述器件模型的开启电压、写入电压、擦除电压、擦写速度、功耗、存储窗口、稳定性、耐久性、开关比、电流参数的离散性及存储密度；利用所述第二阻变材料、相应的电极材料及预设的存储结构设计所述阻变存储器。