专利详情

专利名称	一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法
申请号	CN201810584597.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108531877A	公开（授权）日	2018.09.14
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	马永胜
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I
专利有效期	一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法至一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜，包括Ti、Zr、V、Hf四种元素且原子个数比为(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1)；TiZrVHf四元吸气剂薄膜包括依次在基体管道内壁生长的致密层和柱状层，致密层为薄膜表面平整，在电子显微镜下无明显晶粒的结构；柱状层为薄膜表面粗糙，在电子显微镜下具有明显晶粒的结构，柱状层具有较大表面积，具有较大的吸气面积，使得单位基体管道面积的抽气速率显著增加。本发明属于吸气剂薄膜技术领域，该TiZrVHf四元吸气剂薄膜能够在低温下激活，具有较强附着力和较长使用寿命，能够有效提高粒子加速器真空度，降低二次电子发射系数。