专利详情

专利名称	一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法
申请号	CN201810354452.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108550450A	公开（授权）日	2018.09.18
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	孔雯雯;王倩;常爱民;姚金城
主分类号	H01C7/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01C7/04(2006.01)I;H01C17/075(2006.01)I;H01C17/08(2006.01)I
专利有效期	一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法至一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜的制备方法，该方法首先在硅衬底表面制备绝热缓冲层；然后再绝热缓冲层表面制备二氧化硅绝缘层；最后在二氧化硅绝缘层表面制备热敏薄膜，即得到具有绝热缓冲层结构的热敏薄膜。其中所述的绝热缓冲层是在硅片表面生长硅柱、硅球或硅棒，从而形成具有不同结构特点的多孔硅基结构，利用孔隙内部储存的空气，实现热敏薄膜与硅衬底之间热绝缘的作用，使得热敏薄膜整体热容量和热耗散减小，加快热敏电阻的响应时间，可被研制成具有快响应特点的微型热敏电阻器，非常适用于快响应温度监测领域。