一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法
- 申请号：CN201810314406.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学技术大学
- 公开(公开)号：CN108517502A
- 公开(公开)日：2018.09.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201810314406.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN108517502A | 公开（授权）日 | 2018.09.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 |
| 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法 至一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本公开提供了一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法，包括：对基材进行预处理；采用物理气相沉积设备对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗；固定基材并对基材表面进行等离子体轰击和刻蚀；在基材表面沉积低应力DLC薄膜；以及在真空环境下冷却基材表面沉积的低应力DLC薄膜。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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