一种润滑/导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法
- 申请号:CN201810261644.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN108517499A
- 公开(公开)日:2018.09.11
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种润滑/导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法 | ||
申请号 | CN201810261644.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN108517499A | 公开(授权)日 | 2018.09.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 郝俊英;刘金玉;徐书生;刘维民 |
主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I |
专利有效期 | 一种润滑/导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法 至一种润滑/导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种润滑/导电双功能NbSe2薄膜的低温制备方法。该方法采用氩气(纯度为99.99%)为溅射气体,NbSe2(纯度为99.9%)为溅射靶材,射频电源为溅射源,制备润滑/导电双功能NbSe2薄膜。此方法实现了薄膜的低温快速沉积。该固体薄膜结构均匀致密,且膜?基结合强度较好,具备良好的择优取向,在大气环境下(30%RH、20℃)具有优异的摩擦学性能(摩擦系数约为0.033)和良好的导电性能(静态接触电阻约为1.76×10?3Ω·cm),在动态接触滑动模式下依然呈现出优异的润滑/导电双功能。该NbSe2薄膜在电接触滑动部件表面处理领域具有广泛的应用前景。 |
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