专利详情

专利名称	固态氢靶系统和使用它的激光离子源
申请号	CN201810243546.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108511314A	公开（授权）日	2018.09.07
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	孙良亭;赵环昱;沈叮叮;张俊杰
主分类号	H01J49/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01J49/10(2006.01)I;H01J49/06(2006.01)I;A61N5/10(2006.01)I
专利有效期	固态氢靶系统和使用它的激光离子源至固态氢靶系统和使用它的激光离子源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了固态氢靶系统及使用它的激光离子源，该固态氢靶系统包括：气体固化基座；气体固化坑，其作为冷冻靶位于气体固化基座的中央部；吸附罩，其围绕着气体固化基座，且该吸附罩的内表面粘贴有活性炭；其中，在固态氢靶系统所在的真空腔室为基础真空度的状态下，当从正对着气体固化坑的喷嘴即氢气出气口喷出预冷的氢气，该氢气立刻在冷冻靶凝结沉积而形成固体氢靶，对固态氢靶的靶面进行激光打靶，所气化的氢气由活性炭快速吸收，由此，有效维持了真空腔室的基础真空度，保证了激光打靶重复率，而使质子产生稳定性提高。