专利详情

专利名称	Ga₂S₃单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用
申请号	CN201810338037.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108441964A	公开（授权）日	2018.08.24
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	刘彬文;郭国聪;王国强;姜小明;曾卉一;徐忠宁;王观娥
主分类号	C30B29/46(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/46(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I
专利有效期	Ga₂S₃单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用至Ga₂S₃单晶的制备方法、铁电材料、压电器件及热电器件用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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