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光电探测器

  • 申请号:CN201810162647.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN108447938A
  • 公开(公开)日:2018.08.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 光电探测器
申请号 CN201810162647.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN108447938A 公开(授权)日 2018.08.24
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘道群;李志华;唐波;张鹏;李彬
主分类号 H01L31/105(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期 光电探测器 至光电探测器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本申请提供了一种光电探测器。该光电探测器包括:衬底硅层;掩埋二氧化硅层,位于衬底硅层的部分表面上;顶层硅层,位于掩埋二氧化硅层的表面上,部分衬底硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层形成光耦合区和波导区,光耦合区中的顶层硅层具有耦合光栅;P型轻掺杂层,位于衬底硅层的未设置有掩埋二氧化硅层的表面上,P型轻掺杂层的材料包括第一本征半导体材料;光电转化层,位于P型轻掺杂层的远离衬底硅层的表面上,光电转化层具有本征区、P型区与N型区,光电转化层的材料包括第二本征半导体材料,第一本征半导体材料与第二本征半导体材料相同。该光电探测器的暗电流较小。

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