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可见-短波红外探测器及其制备方法

  • 申请号:CN201710062991.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN108346713A
  • 公开(公开)日:2018.07.31
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 可见-短波红外探测器及其制备方法
申请号 CN201710062991.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN108346713A 公开(授权)日 2018.07.31
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 郑军;成步文;王启明
主分类号 H01L31/18(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期 可见-短波红外探测器及其制备方法 至可见-短波红外探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种可见?短波红外探测器及其制备方法,该制备方法包括:在硅衬底背面形成硅可见光探测器的P型和N型掺杂区域;在所述P型和N型掺杂区域上形成保护层;在硅衬底正面外延生长锗锡红外光探测器的锗锡光吸收层;去除所述P型和N型掺杂区域上的保护层,完成制作所述硅可见光探测器和锗锡红外光探测器。本发明不仅可以利用传统Si?CMOS工艺成本低廉、高可靠性等优势,还可以实现真正意义上的光电探测器的单片集成。

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