专利详情

专利名称	单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法
申请号	CN201810143998.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108332674A	公开（授权）日	2018.07.27
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	祁志美;万秀美;高然;张萌颖;方东明
主分类号	G01B11/06(2006.01)I	IPC主分类号	G01B11/06(2006.01)I;G01N15/08(2006.01)I
专利有效期	单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法至单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本公开提供了一种单光谱求取多孔膜厚度和孔隙率的方法，包括：获得包括透明基底/缓冲膜/待测多孔膜的光波导共振芯片，其中，待测多孔膜作为导波层，能够承载至少两个横电导模或至少两个横磁导模；在给定测试条件下获取光波导共振芯片的单个实测共振光谱，使得该实测共振光谱包含至少两个共振峰或至少两个共振谷；通过在给定测试条件下对其中k个共振峰或k个共振谷分别进行仿真拟合，k≥2，以求取分别满足k个导模的共振条件下，表征待测多孔膜的孔隙率和厚度关系的函数；同时满足至少两个函数的孔隙率和厚度即为待测多孔膜的孔隙率和厚度。本公开只需获取一个实测共振光谱即可同时测得多孔膜的孔隙率和厚度，测量方法简单，测量精度高。